технология ИС на структуре КНС-структуре
- технология ИС на структуре КНС-структуре
- n
microel. SOS-Technik, SOS-Technologie, Silizium-auf-Saphir-Technik, Silizium-auf-Saphir-Technologie
Универсальный русско-немецкий словарь.
Академик.ру.
2011.
Смотреть что такое "технология ИС на структуре КНС-структуре" в других словарях:
КНС-технология — silicio darinių ant safyro technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon on sapphire approach; silicon on sapphire technology vok. Silizium auf Saphir Technologie, f rus. КНС технология, f; технология на структуре… … Radioelektronikos terminų žodynas
технология на структуре типа кремний на сапфире — silicio darinių ant safyro technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon on sapphire approach; silicon on sapphire technology vok. Silizium auf Saphir Technologie, f rus. КНС технология, f; технология на структуре… … Radioelektronikos terminų žodynas
Кремний на изоляторе — Схема КНИ подложки Кремний на изоляторе (КНИ) (англ. Silicon on insulator, SOI) технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний д … Википедия
SOI — Схема КНИ подложки Кремний на изоляторе (КНИ) (англ. Silicon on insulator, SOI) технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний диэлектрик кремний вместо обычно… … Википедия
Silicon on insulator — Схема КНИ подложки Кремний на изоляторе (КНИ) (англ. Silicon on insulator, SOI) технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний диэлектрик кремний вместо обычно… … Википедия
КНИ — Схема КНИ подложки Кремний на изоляторе (КНИ) (англ. Silicon on insulator, SOI) технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний диэлектрик кремний вместо обычно… … Википедия
Кремний на сапфире — Схема КНИ подложки Кремний на изоляторе (КНИ) (англ. Silicon on insulator, SOI) технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний диэлектрик кремний вместо обычно… … Википедия
Silizium-auf-Saphir-Technologie — silicio darinių ant safyro technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon on sapphire approach; silicon on sapphire technology vok. Silizium auf Saphir Technologie, f rus. КНС технология, f; технология на структуре… … Radioelektronikos terminų žodynas
silicio darinių ant safyro technologija — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon on sapphire approach; silicon on sapphire technology vok. Silizium auf Saphir Technologie, f rus. КНС технология, f; технология на структуре типа кремний на сапфире, f pranc.… … Radioelektronikos terminų žodynas
silicon-on-sapphire approach — silicio darinių ant safyro technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon on sapphire approach; silicon on sapphire technology vok. Silizium auf Saphir Technologie, f rus. КНС технология, f; технология на структуре… … Radioelektronikos terminų žodynas
silicon-on-sapphire technology — silicio darinių ant safyro technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon on sapphire approach; silicon on sapphire technology vok. Silizium auf Saphir Technologie, f rus. КНС технология, f; технология на структуре… … Radioelektronikos terminų žodynas